Презентация - Транзисторы. Принцип действия, классификация, области применения

Смотреть слайды в полном размере
Презентация Транзисторы. Принцип действия, классификация, области применения


Вашему вниманию предлагается презентация на тему «Транзисторы. Принцип действия, классификация, области применения», с которой можно предварительно ознакомиться, просмотреть текст и слайды к ней, а так же, в случае, если она вам подходит - скачать файл для редактирования или печати.

Презентация содержит 13 слайдов и доступна для скачивания в формате ppt. Размер скачиваемого файла: 306.88 KB

Просмотреть и скачать

Pic.1
ТРАНЗИСТОРЫ Принцип действия, классификация, области применения
ТРАНЗИСТОРЫ Принцип действия, классификация, области применения
Pic.2
Транзи́стор — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, с
Транзи́стор — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. Транзи́стор — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. Транзисторы по структуре, принципу действия и параметрам делятся на два класса — биполярные и полевые (униполярные). В биполярном транзисторе используются полупроводники с обоими типами проводимости, он работает за счет взаимодействия двух, близко расположенных на кристалле, p-n переходов и управляется изменением тока через база-эмиттерный переход, при этом вывод эмиттера всегда является общим для управляющего и выходного токов. В полевом транзисторе используется полупроводник только одного типа проводимости, расположенный в виде тонкого канала, на который воздействует электрическое поле изолированного от канала затвора, управление осуществляется изменением напряжения между затвором и истоком. Полевой транзистор, в отличие от биполярного, управляется напряжением, а не током.
Pic.3
Биполярные транзисторы Трехслойная полупроводниковая структура, состоящая из двух слоев полупроводни
Биполярные транзисторы Трехслойная полупроводниковая структура, состоящая из двух слоев полупроводника с одинаковым типом проводимости, разделенных тонким слоем полупроводника с другим типом проводимости, называется биполярным транзистором.
Pic.4
n(+) – повышенная концентрация носителей => сильное легирование эмиттера n(+) – повышенная концен
n(+) – повышенная концентрация носителей => сильное легирование эмиттера n(+) – повышенная концентрация носителей => сильное легирование эмиттера Транзисторы n-p-n типа распространены Существенно больше. Инжектируемыми носителями в этом случае являются электроны, подвижность которых в несколько выше, чем у дырок, что обусловливает большее быстродействие.
Pic.5
Принцип работы биполярного транзистора
Принцип работы биполярного транзистора
Pic.6
Виды биполярных транзисторов
Виды биполярных транзисторов
Pic.7
Режимы работы и схемы включения БП транзисторов Каждый из p-n переходов может быть включен как в пря
Режимы работы и схемы включения БП транзисторов Каждый из p-n переходов может быть включен как в прямом, так и в обратном направлении. В связи с этим различают три режима работы.
Pic.8
Режим насыщения Режим насыщения Оба p-n перехода смещены в прямом направлении (оба открыты). Если эм
Режим насыщения Режим насыщения Оба p-n перехода смещены в прямом направлении (оба открыты). Если эмиттерный и коллекторный р-n-переходы подключить к внешним источникам в прямом направлении, транзистор будет находиться в режиме насыщения. Диффузионное электрическое поле эмиттерного и коллекторного переходов будет частично ослабляться электрическим полем, создаваемым внешними источниками Uэб и Uкб. В результате уменьшится потенциальный барьер, ограничивавший диффузию основных носителей заряда, и начнется проникновение (инжекция) дырок из эмиттера и коллектора в базу, то есть через эмиттер и коллектор транзистора потекут токи, называемые токами насыщения эмиттера (IЭ. нас) и коллектора (IК. нас). Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (UКЭ. нас) - это падение напряжения на открытом транзисторе (смысловой аналог RСИ. отк у полевых транзисторов). Аналогично напряжение насыщения база-эмиттер (UБЭ. нас) - это падение напряжение между базой и эмиттером на открытом транзисторе. Режим отсечки В данном режиме коллекторный p-n переход смещён в обратном направлении, а на эмиттерный переход может быть подано как обратное, так и прямое смещение, не превышающее порогового значения, при котором начинается эмиссия неосновных носителей заряда в область базы из эмиттера (для кремниевых транзисторов приблизительно 0,6—0,7 В). Режим отсечки соответствует условию UЭБ<0,7 В, или IБ=0. Барьерный режим В данном режиме база транзистора по постоянному току соединена накоротко или через небольшой резистор с его коллектором, а в коллекторнуюили в эмиттерную цепь транзистора включается резистор, задающий ток через транзистор. В таком включении транзистор представляет из себя своеобразный диод, включенный последовательно с токозадающим резистором. Подобные схемы каскадов отличаются малым количеством комплектующих, хорошей развязкой по высокой частоте, большим рабочим диапазоном температур, нечувствительностью к параметрам транзисторов
Pic.9
Любая схема включения транзистора характеризуется двумя основными показателями: Любая схема включени
Любая схема включения транзистора характеризуется двумя основными показателями: Любая схема включения транзистора характеризуется двумя основными показателями: Коэффициент усиления по току Iвых/Iвх. Входное сопротивление Rвх = Uвх/Iвх. Схема включения с общей базой
Pic.10
Любая схема включения транзистора характеризуется двумя основными показателями: Любая схема включени
Любая схема включения транзистора характеризуется двумя основными показателями: Любая схема включения транзистора характеризуется двумя основными показателями: Коэффициент усиления по току Iвых/Iвх. Входное сопротивление Rвх = Uвх/Iвх. Схема включения с общим эмиттером
Pic.11
Любая схема включения транзистора характеризуется двумя основными показателями: Любая схема включени
Любая схема включения транзистора характеризуется двумя основными показателями: Любая схема включения транзистора характеризуется двумя основными показателями: Коэффициент усиления по току Iвых/Iвх. Входное сопротивление Rвх = Uвх/Iвх. Схема включения с общим эмиттером
Pic.12
Полевые транзисторы Полевой транзистор – это полупроводниковый полностью управляемый ключ, управляем
Полевые транзисторы Полевой транзистор – это полупроводниковый полностью управляемый ключ, управляемый электрическим полем. Это главное отличие с точки зрения практики от биполярных транзисторов, которые управляются током. Электрическое поле создается напряжением, приложенным к затвору относительно истока. Полярность управляющего напряжения зависит от типа канала транзистора. В полевых транзисторах в зависимости от типа канала ток осуществляется только одним типом носителей дырками или электронами. В биполярных транзисторах ток формировался из двух типов носителей зарядов – электронов и дырок, независимо от типа приборов. Полевые транзисторы в общем случае можно разделить на: транзисторы с управляющим p-n-переходом; транзисторы с изолированным затвором. И те и другие могут быть n-канальными и p-канальными, к затвору первых нужно прикладывать положительное управляющее напряжение для открытия ключа, а для вторых – отрицательное относительно истока. У всех типов полевых транзисторов есть три вывода: Исток (источник носителей заряда, аналог эмиттера на биполярном). Сток (приемник носителей заряда от истока, аналог коллектора биполярного транзистора). Затвор (управляющий электрод, аналог сетки на лампах и базы на биполярных транзисторах).
Pic.13
Транзисторы. Принцип действия, классификация, области применения, слайд 13


Скачать презентацию

Если вам понравился сайт и размещенные на нем материалы, пожалуйста, не забывайте поделиться этой страничкой в социальных сетях и с друзьями! Спасибо!