Презентация «Статистика носителей заряда в полупроводниках»
Смотреть слайды в полном размере 
Вы можете ознакомиться с презентацией онлайн, просмотреть текст и слайды к ней, а также, в случае, если она вам подходит - скачать файл для редактирования или печати. Документ содержит 15 слайдов и доступен в формате ppt. Размер файла: 163.43 KB
Pic.1
СТАТИСТИКА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
Pic.2
Распределение Ферми-Дирака Носители заряда в твердых телах описываются статистикой Ферми – Дирака химический потенциал µ имеет смысл энергии Ферми (µ = EF при температурах, существенно меньших TF)
Pic.3
Зонная структура полупроводника и металла В металлах уровень Ферми находится в зоне проводимости, в химически чистом полупроводниковом материале уровень Ферми располагается вблизи середины …
Pic.4
Концентрация носителей заряда в полупроводнике В равновесном состоянии в полупроводнике носители тока определенным образом распределены по энергетическим состояниям в зоне проводимости и валентной …
Pic.5
Генерация и рекомбинация носителей заряда в собственном полупроводнике При низких температурах электронные состояния валентной зоны полупроводника заняты, в зоне проводимости электронные состояния …
Pic.6
Этот процесс называется генерацией носителей, существует обратный процесс – рекомбинация, результатом которой является восстановление дефектной межатомной связи с исчезновением пары подвижных …
Pic.7
Концентрация носителей заряда в полупроводнике Генерация и рекомбинация носителей заряда
Pic.8
Произведение концентраций не зависит от положения уровня Ферми в полупроводнике, поэтому закон действующих масс остается справедливым для расчета концентраций носителей тока в полупроводниковом …
Pic.9
Электропроводность собственного полупроводника Учитывая, что концентрация носителей тока в полупроводнике полностью определяет его удельную проводимость, для плотности тока в полупроводнике получим j …
Pic.10
Зависимость концентрации от температуры
Pic.11
Генерация и рекомбинация носителей заряда в примесных полупроводниках Механизм проводимости примесного полупроводника определяется природой химического элемента, которым легирован исходный …
Pic.12
Носители заряда в примесных полупроводниках Механизм проводимости примесного полупроводника определяется природой химического элемента, которым легирован исходный полупроводниковый материал. …
Pic.13
На зонной схеме акцепторные примеси изображаются системой уровней, расположенных в запрещенной зоне вблизи потолка валентной зоны с зазором, исчисляемым долями электронвольт (рис. 5). Наличие …
Pic.14
Симметричные рассуждения для полупроводника, легированного донорной примесью (например, алюминий в кремнии), приводят к симметричной зонной картинке и симметричным выражениям для концентрации …
Pic.15
Вырожденные полупроводники Сильное легирование полупроводника приводит к тому, что отдельные уровни примесных атомов преобразуются в энергетические зоны, которые могут частично перекрываться с …
Если вам понравился сайт и размещенные на нем материалы, пожалуйста, не забывайте поделиться этой страничкой в социальных сетях и с друзьями! Спасибо!
