Презентация «Расчет коэффициента распыления в модели Зигмунда. Эмпирические формулы расчета коэффициента распыления»

Смотреть слайды в полном размере
Презентация «Расчет коэффициента распыления в модели Зигмунда. Эмпирические формулы расчета коэффициента распыления»

Вы можете ознакомиться с презентацией онлайн, просмотреть текст и слайды к ней, а также, в случае, если она вам подходит - скачать файл для редактирования или печати. Документ содержит 16 слайдов и доступен в формате ppt. Размер файла: 199.50 KB

Просмотреть и скачать

Pic.1
Лекция 7 Слайд 1 Темы лекции Расчет коэффициента распыления в модели Зигмунда. Эмпирические формулы
Лекция 7 Слайд 1 Темы лекции Расчет коэффициента распыления в модели Зигмунда. Эмпирические формулы расчета коэффициента распыления . Энергетическое и угловое распределение распыленных частиц. Ионное …
Pic.2
Лекция 7 Слайд 2 При упругом рассеянии ионов пучка на атомах облучаемого образца, последние приобрет
Лекция 7 Слайд 2 При упругом рассеянии ионов пучка на атомах облучаемого образца, последние приобретают энергию отдачи 4Ecos2/(1+)2, где Е – энергия иона перед процессом рассеяния. При Е ~ кэВ …
Pic.3
Лекция 7 Слайд 3 Так как углы отдачи могут иметь различные значения, то часть выбитых атомов будет и
Лекция 7 Слайд 3 Так как углы отдачи могут иметь различные значения, то часть выбитых атомов будет иметь направление вектора скорости к поверхности твердого тела и в случае, если их энергия при …
Pic.4
Лекция 7 Слайд 4 Интегральной характеристикой процесса распыления является коэффициент распыления Y
Лекция 7 Слайд 4 Интегральной характеристикой процесса распыления является коэффициент распыления Y = Nрасп /N0+, где N0+ – число ионов первичного пучка, попавших на образец за время облучения, Nрасп …
Pic.5
Лекция 7 Слайд 5 Модель Зикмунда, основные положения которой следующие. Средний пробег иона в твердо
Лекция 7 Слайд 5 Модель Зикмунда, основные положения которой следующие. Средний пробег иона в твердом теле от одного столкновения с атомом до другого l = n01/3. Столкновения иона происходят с каждым …
Pic.6
Лекция 7 Слайд 6 В этих предположениях Вылететь из образца в основном могут лишь атомы, образовавшие
Лекция 7 Слайд 6 В этих предположениях Вылететь из образца в основном могут лишь атомы, образовавшиеся в линейных каскадах, развивавшихся вблизи поверхности, поэтому в качестве Е энергию ионов в …
Pic.7
Лекция 7 Слайд 7 Полуэмпирическая формула Матсунами, учитывающая экспериментальные значения коэффици
Лекция 7 Слайд 7 Полуэмпирическая формула Матсунами, учитывающая экспериментальные значения коэффициента распыления для разных ионов разных энергий и материалов образца se(0) – приведенная …
Pic.8
Лекция 7 Слайд 8 Так как основной вклад в зависимость Y(E0) вносит зависимость Sn(E0), то коэффициен
Лекция 7 Слайд 8 Так как основной вклад в зависимость Y(E0) вносит зависимость Sn(E0), то коэффициент распыления для любых пар ион/образец имеет максимум при энергии иона, которая соответствует …
Pic.9
Лекция 7 Слайд 9 Энергетический спектр распыленных атомов Энергетический спектр dNрасп /dE при облуч
Лекция 7 Слайд 9 Энергетический спектр распыленных атомов Энергетический спектр dNрасп /dE при облучении медного образца ионами аргона с энергией 10 кэВ. Максимум спектра при энергии распыленных …
Pic.10
Лекция 7 Слайд 10 В случае облучения образца по нормали к поверхности угловое распределение распылен
Лекция 7 Слайд 10 В случае облучения образца по нормали к поверхности угловое распределение распыленных атомов примерно следует закону косинуса dNрасп/d = N*cos Нормировочная константа N* …
Pic.11
Лекция 7 Слайд 11 В случае наклонного облучения образца, можно считать, что количество распыленных а
Лекция 7 Слайд 11 В случае наклонного облучения образца, можно считать, что количество распыленных атомов пропорционально траектории бомбардирующего иона и выходят (распыляются) из образца лишь …
Pic.12
Лекция 7 Слайд 12 Эффект распыления лежит в основе ионного травления образца. Ионный пучок с плотнос
Лекция 7 Слайд 12 Эффект распыления лежит в основе ионного травления образца. Ионный пучок с плотностью тока j0 облучает на образце поверхность площадью А. Коэффициент распыления материала образца Y. …
Pic.13
Лекция 7 Слайд 13 Обычно ионное травление осуществляют с помощью ионов аргона с энергией 5-10 кэВ, т
Лекция 7 Слайд 13 Обычно ионное травление осуществляют с помощью ионов аргона с энергией 5-10 кэВ, так как именно при таких энергиях ядерная тормозная способность для большинства материалов мишени …
Pic.14
Лекция 7 Слайд 14 Процесс распыления, когда коэффициент распыления Y  1 и флюенс облучения F достат
Лекция 7 Слайд 14 Процесс распыления, когда коэффициент распыления Y  1 и флюенс облучения F достаточно велик, вносит существенные коррективы в профиль имплантации. Упрощающие рассмотрение …
Pic.15
Лекция 7 Слайд 15 Функции ошибок Сделаем замену переменной при при имеем
Лекция 7 Слайд 15 Функции ошибок Сделаем замену переменной при при имеем
Pic.16
Лекция 7 Слайд 16 Так как j0/vs = n0/Y, F = j0t, то vst = YF/n0 , то профиль концентрации имплантиро
Лекция 7 Слайд 16 Так как j0/vs = n0/Y, F = j0t, то vst = YF/n0 , то профиль концентрации имплантированных ионов с учетом распыления При времени облучения t   флюенс облучения F  , так как erf() …


Скачать презентацию

Если вам понравился сайт и размещенные на нем материалы, пожалуйста, не забывайте поделиться этой страничкой в социальных сетях и с друзьями! Спасибо!