Презентация Прибор для бесконтактного измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов

Смотреть слайды в полном размере
Презентация Прибор для бесконтактного измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов


Вашему вниманию предлагается презентация «Прибор для бесконтактного измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов», с которой можно предварительно ознакомиться, просмотреть текст и слайды к ней, а так же, в случае, если она вам подходит - скачать файл для редактирования или печати.

Презентация содержит 11 слайдов и доступна для скачивания в формате ppt. Размер скачиваемого файла: 646.80 KB

Просмотреть и скачать

Pic.1
«Прибор для бесконтактного измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов»
«Прибор для бесконтактного измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов»
Pic.2
Методы измерения электрофизических параметров полупроводников Контактные методы измерения 1. Метод В
Методы измерения электрофизических параметров полупроводников Контактные методы измерения 1. Метод Ван дер Пау 2. Двухзондовый метод 3. Четырехзондовый метод
Pic.3
1- измерительное отверстие; 2 – индуктивный штырь; 3 – стенка; 4 – элементы связи; 5 – мет. диафрагм
1- измерительное отверстие; 2 – индуктивный штырь; 3 – стенка; 4 – элементы связи; 5 – мет. диафрагма; 6 – механизм перемещения индуктивного штыря; 7 – образец; Рис. 1 – Резонатор с внешним измерительным отверстием
Pic.4
Рис. 3 – Функциональная схема установки
Рис. 3 – Функциональная схема установки
Pic.5
Прочая через резонатор мощность равна: (1). (где - мощность СВЧ генератора; - внешние добротности ре
Прочая через резонатор мощность равна: (1). (где - мощность СВЧ генератора; - внешние добротности резонатора; - нагруженная добротность; - величина, обратная тангенсу угла, потерь измеряемого полупроводника; К – коэфф. включения, образца в резонатор) В случае высокоомных образцов, когда электрическое поле не экранируется СНЗ, выражение (1) можно преобразовать к виду: (2). Где, - мощность, прошедшая через резонатор в отсутствии образца, , где определяется экспериментально. Определив значение и измеряя на резонансной частоте можно вычислить удельное сопротивление: (3).
Pic.6
Рис. 2 – Калибровочная кривая резонатора с внешними кольцевым отверстием
Рис. 2 – Калибровочная кривая резонатора с внешними кольцевым отверстием
Pic.7
Технические характеристики «SemiCon - 1 »
Технические характеристики «SemiCon - 1 »
Pic.8
Результаты
Результаты
Pic.9
Потенциальные потребители Тут перечислить предприятия
Потенциальные потребители Тут перечислить предприятия
Pic.10
Заключение Реализация предлагаемого метода измерения удельного сопротивления полупроводниковых матер
Заключение Реализация предлагаемого метода измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов в виде прибора «SemiCon - 1» позволила выявить перспективность его использования на различных предприятиях, занимающиеся изготовлением полупроводниковых материалов, а также при создании полупроводниковых приборов. Результаты предварительных маркетинговых и патентных исследований позволяют сделать вывод о перспективности коммерциализации данного прибора.
Pic.11
Литература 1. Нашельский А. Я. Монокристаллы полупроводников. – М. :Металлургия, 1978 – 200с. 2. Мед
Литература 1. Нашельский А. Я. Монокристаллы полупроводников. – М. :Металлургия, 1978 – 200с. 2. Медведев Ю. В. , Ахманаев В. Б. , Петров А. С. Резонатор для бесконтактного измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов // Электронная техника, Сер 1, Электроника СВЧ. – 1961. – вып. 4. – С. 48-51. 3. Левашкин А. Г. , Петров А. С. , Тюльков Г. И. Резонатор для измерения удельного сопротивления полупроводниковых образцов // ПТЭ. – 1982. - №5. – С. 187-189. 4. Ковтонюк Н. Ф. , Концевой Ю. А. Измерение параметров полупроводниковых материалов. – М. : Металлургия, 1970. 5. Исследование и разработка методик и аппаратуры для измерения параметров германия: Отчет о НИР/ СФТИ; Рук Л. Г. Лапатин - №ГР01829037078; Мив. №б. н – Томск, 1984-80с. 6. Об измерении удельного сопротивления чистого германия бесконтактным резонаторным методом на СВЧ при наличии на поверхности образцов изгибов зон. / Л. Г. Лапатин, А. Г. Левашкин // Изв. ВУЗов: Физика, 1983,№4, с. 128.


Скачать презентацию

Если вам понравился сайт и размещенные на нем материалы, пожалуйста, не забывайте поделиться этой страничкой в социальных сетях и с друзьями! Спасибо!