Слайды и текст доклада
Pic.1
Глава 4. Полевые транзисторы 4. 1. Основные сведения и классификация
Pic.2
Идею создания полевых транзисторов, иначе называемых униполярными или канальными, в 1952 г. предложил один из создателей биполярного транзистора У. Шокли. Главным достоинством этих транзисторов …
Pic.3
Рис. 2 - Принцип устройства МДП-транзистора с собственным каналом n-типа Основанием служит кремниевая пластинка с электропроводностью p-типа. В ней созданы две области с электропроводностью n+-типа с …
Pic.4
4. 2. Устройство и принцип действия и ВАХ полевого транзистора с электронно-дырочным переходом
Pic.5
Принцип работы полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
Pic.6
Статические характеристики полевого транзистора с р-n- переходом
Pic.8
4. 3. Полевые транзисторы с изолированным затвором В них металлический затвор отделен от полупроводникового канала тонким слоем диэлектрика. Отсюда и название транзистора – МДП …
Pic.9
4. 3. 1. МДП – транзистор с индуцированным каналом
Pic.11
4. 3. ВАХ полевого транзистора (математическая модель)
Pic.12
4. 5. Формальная схема замещения полевого транзистора и ее дифференциальные параметры
Pic.13
4. 6. Физическая эквивалентная схема полевого транзистора
Pic.14
4. 7. Зависимость параметров полевого транзистора от режима работы и температуры
Pic.17
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (БТИЗ) Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistors) - полностью управляемый полупроводниковый прибор, …
Pic.18
6. 5. 3. Приборы с зарядовой связью Одним из новых классов приборов со структурой МДП являются приборы с зарядовой связью (ПЗС). Принцип действия ПЗС основан на хранении заряда неосновных носителей …
Скачать презентацию
Если вам понравился сайт и размещенные на нем материалы, пожалуйста, не забывайте поделиться этой страничкой в социальных сетях и с друзьями! Спасибо!