Презентация - Оптоэлектронные и квантовые приборы и устройства. Светодиоды

Смотреть слайды в полном размере
Презентация Оптоэлектронные и квантовые приборы и устройства. Светодиоды


Вашему вниманию предлагается презентация на тему «Оптоэлектронные и квантовые приборы и устройства. Светодиоды», с которой можно предварительно ознакомиться, просмотреть текст и слайды к ней, а так же, в случае, если она вам подходит - скачать файл для редактирования или печати.

Презентация содержит 57 слайдов и доступна для скачивания в формате ppt. Размер скачиваемого файла: 2.90 MB

Просмотреть и скачать

Pic.1
Оптоэлектронные и квантовые приборы и устройства Лекция: Светодиоды В. М. Шандаров Томский государст
Оптоэлектронные и квантовые приборы и устройства Лекция: Светодиоды В. М. Шандаров Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
Pic.2
История создания
История создания
Pic.3
К чему приводит прямое смещение
К чему приводит прямое смещение
Pic.4
Светодиод
Светодиод
Pic.5
Светодиоды
Светодиоды
Pic.6
Светодиод
Светодиод
Pic.7
Квантовый выход
Квантовый выход
Pic.8
Потери
Потери
Pic.9
Светодиоды
Светодиоды
Pic.10
Светодиоды
Светодиоды
Pic.11
Светодиоды
Светодиоды
Pic.12
На рис. показаны поперечные разрезы других светодиодов, которые имеют параболическую, полусферическу
На рис. показаны поперечные разрезы других светодиодов, которые имеют параболическую, полусферическую и усечённо сферическую геометрию. На рис. показаны поперечные разрезы других светодиодов, которые имеют параболическую, полусферическую и усечённо сферическую геометрию.
Pic.13
Светодиоды
Светодиоды
Pic.14
Структура поверхностно излучающего светодиода
Структура поверхностно излучающего светодиода
Pic.15
Светодиоды
Светодиоды
Pic.16
Edge-emitting LED
Edge-emitting LED
Pic.17
Оптоэлектронные и квантовые приборы и устройства. Светодиоды, слайд 17
Pic.18
LED spectral patterns
LED spectral patterns
Pic.19
Светодиоды
Светодиоды
Pic.20
Light-emission cone
Light-emission cone
Pic.21
Drawbacks of LED Large line width (30-40 nm) Large beam width (Little optical power coupled in to th
Drawbacks of LED Large line width (30-40 nm) Large beam width (Little optical power coupled in to the fiber) Incoherency Low E/O conversion efficiency Advantages Robust Linear
Pic.22
Оптоэлектронные и квантовые приборы и устройства. Светодиоды, слайд 22
Pic.23
Оптоэлектронные и квантовые приборы и устройства. Светодиоды, слайд 23
Pic.24
Оптоэлектронные и квантовые приборы и устройства. Светодиоды, слайд 24
Pic.25
Оптоэлектронные и квантовые приборы и устройства. Светодиоды, слайд 25
Pic.26
Оптоэлектронные и квантовые приборы и устройства. Светодиоды, слайд 26
Pic.27
Оптоэлектронные и квантовые приборы и устройства. Светодиоды, слайд 27
Pic.28
Оптоэлектронные и квантовые приборы и устройства. Светодиоды, слайд 28
Pic.29
Различают два основных типа светодиодов, обеспечивающих ввод излучения в оптические волокна малого д
Различают два основных типа светодиодов, обеспечивающих ввод излучения в оптические волокна малого диаметра: светодиоды с излучающей поверхностью (рис. 4) и с излучающей гранью (рис. ). Различают два основных типа светодиодов, обеспечивающих ввод излучения в оптические волокна малого диаметра: светодиоды с излучающей поверхностью (рис. 4) и с излучающей гранью (рис. ).
Pic.30
Оптоэлектронные и квантовые приборы и устройства. Светодиоды, слайд 30
Pic.31
Оптоэлектронные и квантовые приборы и устройства. Светодиоды, слайд 31
Pic.32
Оптоэлектронные и квантовые приборы и устройства. Светодиоды, слайд 32
Pic.33
Оптоэлектронные и квантовые приборы и устройства. Светодиоды, слайд 33
Pic.34
Оптоэлектронные и квантовые приборы и устройства. Светодиоды, слайд 34
Pic.35
Оптоэлектронные и квантовые приборы и устройства. Светодиоды, слайд 35
Pic.36
Оптоэлектронные и квантовые приборы и устройства. Светодиоды, слайд 36
Pic.37
Оптоэлектронные и квантовые приборы и устройства. Светодиоды, слайд 37
Pic.38
Оптоэлектронные и квантовые приборы и устройства. Светодиоды, слайд 38
Pic.39
Оптоэлектронные и квантовые приборы и устройства. Светодиоды, слайд 39
Pic.40
Фотоэлементы
Фотоэлементы
Pic.41
Фоторезисторы Это светочувствительные элементы, принцип действия которых основан на изменении провод
Фоторезисторы Это светочувствительные элементы, принцип действия которых основан на изменении проводимости полупроводникового материала под действием света. Он представляет собой пленку из полупроводникового материала (сернистый свинец, селенид кремния, сернистый кадмий), обладающего очень высокой чувствительностью к свету, которую наносят на стекло или керамику. В цепи источника постоянного или переменного напряжения фоторезистор изменяет свое сопротивление и ток в цепи в зависимости от интенсивности света.
Pic.42
Фотодиоды Принцип действия: под действием оптического излучения образуется электронно-дырочная пара
Фотодиоды Принцип действия: под действием оптического излучения образуется электронно-дырочная пара и в области пространственного заряда p-n перехода резко возрастает обратный ток фотодиода. Схема фотодиода:
Pic.43
ВАХ диода на основе p-n – перехода
ВАХ диода на основе p-n – перехода
Pic.44
p-n-фотодиод в оптической связи Две характеристики p-n-фотодиодов ограничивают их применение в волок
p-n-фотодиод в оптической связи Две характеристики p-n-фотодиодов ограничивают их применение в волоконно-оптической связи. Во-первых, обедненная зона составляет достаточно малую часть всего объема диода, и большая часть поглощенных фотонов не приводит к генерации тока во внешнем контуре. Возникающие при этом электроны и дырки рекомбинируют на пути к области сильного поля. Для генерации тока достаточной силы требуется мощный световой источник. Во-вторых, наличие медленного отклика, обусловленного медленной диффузией, замедляет работу диода, делая его непригодным для средне- и высокоскоростных применений. Это позволяет использовать фотодиод на основе p-n – перехода только в килогерцовом диапазоне.
Pic.45
Оптоэлектронные и квантовые приборы и устройства. Светодиоды, слайд 45
Pic.46
P-i-n фотодиод
P-i-n фотодиод
Pic.47
Принцип работы
Принцип работы
Pic.48
Основные параметры чувствительность (в современных p-i-n-фотодиодах чувствительнось составляет велич
Основные параметры чувствительность (в современных p-i-n-фотодиодах чувствительнось составляет величину от 10 нВт до 100 пВт , что соответствует -50 дБм - -70 дБм); квантовая эффективность (в p-i-n-фотодиодах обычно достигает 80%, для фотодиодов, сконструированных для применения в оптоволоконных линиях, емкость перехода равна 0,2 пФ при рабочей поверхности диода 200 мкм); время отклика (фотогенерированные носители в i-слое будут разделяться в сильном электрическом поле, и фотоотклик таких диодов будет быстрым).
Pic.49
Схема конструкции p-i-n ФД
Схема конструкции p-i-n ФД
Pic.50
Кремниевые p-i-n-фотодиоды
Кремниевые p-i-n-фотодиоды
Pic.51
Схема включения фотодиода
Схема включения фотодиода
Pic.52
Спектральная чувствительность Ge (1) и Si (2) приборов
Спектральная чувствительность Ge (1) и Si (2) приборов
Pic.53
Лавинный фотодиод
Лавинный фотодиод
Pic.54
Схема лавинного ФД
Схема лавинного ФД
Pic.55
Схема конструкции лавинного ФД
Схема конструкции лавинного ФД
Pic.56
Оптоэлектронные и квантовые приборы и устройства. Светодиоды, слайд 56
Pic.57
Светодиоды
Светодиоды


Скачать презентацию

Если вам понравился сайт и размещенные на нем материалы, пожалуйста, не забывайте поделиться этой страничкой в социальных сетях и с друзьями! Спасибо!