Презентация «Наноимпринт литография»
Смотреть слайды в полном размере 
Вы можете ознакомиться с презентацией онлайн, просмотреть текст и слайды к ней, а также, в случае, если она вам подходит - скачать файл для редактирования или печати. Документ содержит 55 слайдов и доступен в формате ppt. Размер файла: 21.49 MB
Pic.1
Обзор S-FIL нано-импринт литографии и последние результаты для CMOS и других нано- приложений Нияз Хуснатдинов Molecular Imprints, Inc.
Pic.2
План доклада Введение Принцип S-FIL литографии Описание технологии и последние достижения в производстве штампов Imprio I-250, характеристики на сегодняшний день и перспективы развития. Точность …
Pic.3
Pic.4
Продолжение введения. В ХХ веке широкое распостранение получило печатание грампластинок В 1994 году Стив Чу продемонстрировал возможность использования импринт литографии для получения нано-структур
Pic.5
Pic.6
Примеры импринт литографии John A. Rogers, University of Illinois, Urbana-Champaing, Печатание с помощью штампа сделанного из углеродной нанотрубки достигло разрешения 2. 4 нм. При этом использовался …
Pic.7
MII: Step & Flash™ Импринт Литография (S-FIL)
Pic.8
Динамика и однородность напечатанного слоя
Pic.9
S-FIL и S-FIL/R процессы
Pic.10
Гибкая печать на сапфире, 100 мм
Pic.11
Гибкая печать на сапфире, 100 мм
Pic.12
S-FIL Импринт Литография
Pic.13
Производство нано-штампа. Стардатный процесс.
Pic.14
Развитие процесса с использованием положительного резиста ZEP520 Ширина линий в зависимости от дозы экспозиции при различных диаметрах электронного пучка
Pic.15
ZEP520A: Bias = -18nm, Штамп
Pic.16
Отпечатки: -18nm Bias, 28 – 40 nm HP
Pic.17
Профиль отпечатков: Bias = -18 nm
Pic.18
28 and 32 nm HP: малая чуствительность к изменению полученной дозы
Pic.19
36 nm Half Pitch: No Bias – Очень чуствительна к изменению дозы
Pic.20
DNP нано-штамп написанный с помощью Гауссова пучка
Pic.21
Hoya нано-штамп для памяти с 30 нм Fins
Pic.22
Производство нано-штампа. Путь к меньшим размерам. Стандартный подход
Pic.23
Штамп: 25 нм полупериод
Pic.24
Штампы: полупериоды 19 нм и 21 нм
Pic.25
Полученные отпечатки со штампами 23 нм and 21 нм (полупериод)
Pic.26
Штамп после удаления хрома, Cr (Lift-off): Полупериоды 17 нм и 15 нм
Pic.27
Негативный резист HSQ: Штамп с полупериодом 15 нм
Pic.28
Негативный резист HSQ: Штамп с полупериодом 12. 5 нм
Pic.29
Достигнутое пространственное разрешение уже достаточно для проведения исследований
Pic.30
Инспектирование и ремонт нано-штампа 1x template inspection/repair builds on wafer inspection technology Two technologies being used to detect down to 20nm defects Die to die ebeam inspection (KLA …
Pic.31
Время написания нано-штампа является важным фактором Время написания фото-масок существенно увеличилось! Для фото-маски с 65 нм структурами это может занять 24 часа даже с быстрыми резистами …
Pic.32
Сравнение исходного штампа и его реплики
Pic.33
Требования к установкам импринт литографии для CMOS приложений Высокая точность совмещения рисунка с предыдущим слоем Малый уровень дефектов Высокая производительность
Pic.34
Imprio - 250 Установка предназначена для CMOS приложений На ней можно получать структуры менее 20 нм с соответствующим совмещением рисунков Жесткий контроль за совмещением и размерами штампа …
Pic.35
Точность совмещения слоев (Overlay) Требуемая точность 20-25% от минимального размера. К примеру для полупериода 22 nm точность должна быть ~ 5 nm Факторы, влияющие на точность Аккуратность …
Pic.36
Совмещение рисунка во время печати Совмещение измеряется с помощью растровых решеток (moiré) как на штампе, так и на подложке . Изначально эта техника была развита для рентгеновской электронной …
Pic.37
Растровые решетки муара
Pic.38
Результаты по точности совмещения слоев Точность совмещения была продемонстрирована с двумя типами 193 нм сканерами Точность совмещения была измерена на стандартной KT установке. 32 поля на пластине, …
Pic.39
Последовательное уменьшение количества дефектов Данные включают все типы дефектов Наблюдается постепенное улучшение – приблизительно один порядок в год
Pic.40
Зависимость количества S-FIL дефектов от размеров
Pic.41
Устойчивость процесса к посторонним частицам. Самоочистка при последующем печатании.
Pic.42
Производительность Imprio-250 Сравнительно малая стоимость печатных головок позволяет установить несколько таких головок для увеличения производительности.
Pic.43
Сравнение планов для интегальных микросхем (ITRS) и для хранения информации (Information Storage)
Pic.44
План развития на ближайшие годы Производство структур с полупериодом 32 нм планируется на 2010 год. Этот срок определен планом развития элементов памяти
Pic.45
Приложения в CMOS индустрии Производство структур с полупериодом 32 нм начнется около 2010 года, что определяется развитием элементов памяти
Pic.46
IBM Almaden Research Center 30 нм “Storage-Class” сверхплотная постоянная память
Pic.47
Pic.48
Продемонстрирована 27 нм FinFET литография с прекрасным контролем за размерами линий, вертикальностью стенок и малой шероховатостью Продемонстрирована 27 нм FinFET литография с прекрасным контролем …
Pic.49
Потенциал для 3-х мерной печати
Pic.50
Потенциал для 3-х мерной печати
Pic.51
Применение к фотонным кристаллам
Pic.52
Заключение. Почему именно импринт литография? Позволяет уже сегодня достичь уровня литографии менее 32 нм с маленькой шероховатостью линий (LER) Совместима с CMOS технологией Буквальная замена …
Pic.53
Pic.54
В 2006 году обе технологии EUV и S-FIL импринт начали продажи установок для CMOS!
Pic.55
MOLECULAR IMPRINTS, INC.
Если вам понравился сайт и размещенные на нем материалы, пожалуйста, не забывайте поделиться этой страничкой в социальных сетях и с друзьями! Спасибо!
