Презентация - Методы выращивания монокристаллов кремния. Сравнение. Сферы применения монокристаллов, выращенных различными методами

Смотреть слайды в полном размере
Презентация Методы выращивания монокристаллов кремния. Сравнение. Сферы применения монокристаллов, выращенных различными методами


Вашему вниманию предлагается презентация на тему «Методы выращивания монокристаллов кремния. Сравнение. Сферы применения монокристаллов, выращенных различными методами», с которой можно предварительно ознакомиться, просмотреть текст и слайды к ней, а так же, в случае, если она вам подходит - скачать файл для редактирования или печати.

Презентация содержит 16 слайдов и доступна для скачивания в формате ppt. Размер скачиваемого файла: 420.39 KB

Просмотреть и скачать

Pic.1
Методы выращивания монокристаллов кремния. Сравнение. Сферы применения монокристаллов, выращенных ра
Методы выращивания монокристаллов кремния. Сравнение. Сферы применения монокристаллов, выращенных различными методами.
Pic.2
Общая информация Кремний обладает алмазоподобной кристаллической решеткой, которая может быть предст
Общая информация Кремний обладает алмазоподобной кристаллической решеткой, которая может быть представлена в виде двух взаимопроникающих гранецентрированных решеток. Параметр решетки - 0. 54 нм, кратчайшее расстояние между атомами - 0. 23 нм. Легирующие атомы замещают атомы кремния, занимая их место в кристаллической решетке. Основными легирующими атомами являются фосфор (5ти валентный донор замещения) и бор (3-х валентный акцептор замещения). Их концентрация обычно не превышает 10-8 атомных процента.
Pic.3
Этапы производства кремния Технология получения монокристаллов полупроводникового кремния состоит из
Этапы производства кремния Технология получения монокристаллов полупроводникового кремния состоит из следующих этапов: 1. получение технического кремния; 2. превращение кремния в легколетучее соединение, которое после очистки может быть легко восстановлено; 3. очистка и восстановление соединения, получение кремния в виде поликристаллических стержней; 4. конечная очистка кремния методом кристаллизации; 5. выращивание легированных монокристаллов
Pic.4
Методы выращивания 1. Метод Чохральского 2. Зонная плавка
Методы выращивания 1. Метод Чохральского 2. Зонная плавка
Pic.5
Метод Чохральского Идея метода получения кристаллов по Чохральскому заключается в росте монокристалл
Метод Чохральского Идея метода получения кристаллов по Чохральскому заключается в росте монокристалла за счет перехода атомов из жидкой или газообразной фазы вещества в твердую фазу на их границе раздела. Скорость роста V определяется числом мест на поверхности растущего кристалла для присоединения атомов, поступающих из жидкой фазы, и особенностями переноса на границе раздела. Тигель - кварцевый Атмосфера роста – инертная (аргона при разрежении ~104 Па. ) Направление вращения тигля – противоположное вращению монокристалла
Pic.6
Метод Чохральского В начале процесса роста монокристалла часть затравочного монокристалла расплавляе
Метод Чохральского В начале процесса роста монокристалла часть затравочного монокристалла расплавляется для устранения в нем участков с повышенной плотностью механических напряжений и дефектами. Затем происходит постепенное вытягивание монокристалла из расплава.
Pic.7
Метод Чохральского При больших массах расплава снижение стоимости становится незначительным за счет
Метод Чохральского При больших массах расплава снижение стоимости становится незначительным за счет высокой стоимости кварцевого тигля и уменьшения скорости выращивания кристаллов из-за трудностей отвода скрытой теплоты кристаллизации С целью дальнейшего повышения производительности процесса и для уменьшения объема расплава, из которого производится выращивание кристаллов, интенсивное развитие получили установки полунепрерывного выращивания. Производится дополнительная или периодическаязагрузка кремния
Pic.8
Легирование Для получения монокристаллов п- или р-типа с требуемым удельным сопротивлением проводят
Легирование Для получения монокристаллов п- или р-типа с требуемым удельным сопротивлением проводят соответствующее легирование исходного поликристаллического кремния или расплава. В загружаемый поликремний вводят соответствующие элементы (Р, В, As, Sb и др. ) или их сплавы с кремнием, что повышает точность легирования.
Pic.9
Метод зонной плавки Метод используется при выращивании монокристаллов полупроводников и диэлектриков
Метод зонной плавки Метод используется при выращивании монокристаллов полупроводников и диэлектриков. Выращивание кристаллов кремния методом бестигельной зонной плавки (БЗП) осуществляют на основе одновиткового индуктора (типа «игольного ушка»), внутренний диаметр которого меньше диаметра исходного поликристаллического стержня и кристалла.
Pic.10
Метод зонной плавки Скорость выращивания кристаллов методом БЗП вдвое больше, чем по методу Чохральс
Метод зонной плавки Скорость выращивания кристаллов методом БЗП вдвое больше, чем по методу Чохральского, благодаря более высоким градиентам температуры. А диаметр кристаллов кремния доведен до 150 мм (что уступает кристаллам, выращенным методом Чохральского) Легирование проводят из газовой фазы путем введения в газ-носитель (аргон) газообразных соединений легирующих примесей.
Pic.11
Примеси в БЗП Основными фоновыми примесями в монокристаллах кремния являются кислород, углерод, азот
Примеси в БЗП Основными фоновыми примесями в монокристаллах кремния являются кислород, углерод, азот, быстродиффундирующие примеси тяжелых металлов. Концентрация кислорода в кристаллах, получаемых методом БЗП, обычно составляет 2·1015 — 2·1016 см-3. Углерод в кремнии является одной из наиболее вредных фоновых примесей Содержание углерода в кристаллах, получаемых по методу Чохральского и БЗП, составляет 5·1016 — 5*1017 см -3
Pic.12
Дальнейшая обработка Из установки извлекают кремниевый слиток диаметром 20 - 50 см и длиной до 3 мет
Дальнейшая обработка Из установки извлекают кремниевый слиток диаметром 20 - 50 см и длиной до 3 метров. Для получения из него кремниевых пластин заданной ориентации и толщиной в несколько десятых миллиметра производят следующие технологические операции. 1. Механическая обработка слитка: - отделение затравочной и хвостовой части слитка; - обдирка боковой поверхности до нужной толщины; - шлифовка одного или нескольких базовых срезов (для облегчения дальнейшей ориентации в технологических установках и для определения кристаллографической ориентации); - резка алмазными пилами слитка на пластины: (100) - точно по плоскости (111) - с разориентацией на несколько градусов. 2. Травление. На абразивном материале SiC или Al2O3 удаляются повреждения высотой более 10 мкм. Затем в смеси плавиковой, азотной и уксусной кислот, приготовленной в пропорции 1:4:3, или раствора щелочей натрия производится травление поверхности Si. 3. Полирование - получение зеркально гладкой поверхности. Используют смесь полирующей суспензии (коллоидный раствор частиц SiO2 размером 10 нм) с водой.
Pic.13
Дальнейшая обработка В окончательном виде кремний представляет из себя пластину диаметром 15 - 40 см
Дальнейшая обработка В окончательном виде кремний представляет из себя пластину диаметром 15 - 40 см, толщиной 0. 5 - 0. 65 мм с одной зеркальной поверхностью. Вид пластин с различной ориентацией поверхности и типом
Pic.14
Сравнение
Сравнение
Pic.15
Дефекты Точечные дефекты (по Френкелю, по Шоттки, атомы примеси в положении замещения, атомы примеси
Дефекты Точечные дефекты (по Френкелю, по Шоттки, атомы примеси в положении замещения, атомы примеси в междоузльи) Линейные дефекты (краевая дислокация, винтовая дислокация) Поверхностные дефекты (границы зерен монокристаллов, двойниковые границы, объемные дефекты в кремнии) При росте кристаллов кремния с очень низкой плотностью дислокаций возникают микродефекты. Дефекты кристаллов кремния, выращенными вышепредставленными методами, в большинстве своем являются бездислокационными
Pic.16
Применение 1. Для производства интегральных схем (Чохральский) 2. для изготовления приборов, не треб
Применение 1. Для производства интегральных схем (Чохральский) 2. для изготовления приборов, не требующих высоких значений удельного сопротивления (до 25 Ом·см) из-за загрязнения кислородом и другими примесями из материала тигля (Чохральский) 3. Монокристаллы кремния, получаемые методом БЗП, составляют около 10 % общего объема производимого монокристаллического кремния и идут в основном на изготовление дискретных приборов, особенно тиристоров большой мощности.


Скачать презентацию

Если вам понравился сайт и размещенные на нем материалы, пожалуйста, не забывайте поделиться этой страничкой в социальных сетях и с друзьями! Спасибо!