Презентация «Методы выращивания монокристаллов кремния. Сравнение. Сферы применения монокристаллов, выращенных различными методами»
Смотреть слайды в полном размере 
Вы можете ознакомиться с презентацией онлайн, просмотреть текст и слайды к ней, а также, в случае, если она вам подходит - скачать файл для редактирования или печати. Документ содержит 16 слайдов и доступен в формате ppt. Размер файла: 420.39 KB
Pic.1
Методы выращивания монокристаллов кремния. Сравнение. Сферы применения монокристаллов, выращенных различными методами.
Pic.2
Общая информация Кремний обладает алмазоподобной кристаллической решеткой, которая может быть представлена в виде двух взаимопроникающих гранецентрированных решеток. Параметр решетки - 0. 54 нм, …
Pic.3
Этапы производства кремния Технология получения монокристаллов полупроводникового кремния состоит из следующих этапов: 1. получение технического кремния; 2. превращение кремния в легколетучее …
Pic.4
Методы выращивания 1. Метод Чохральского 2. Зонная плавка
Pic.5
Метод Чохральского Идея метода получения кристаллов по Чохральскому заключается в росте монокристалла за счет перехода атомов из жидкой или газообразной фазы вещества в твердую фазу на их границе …
Pic.6
Метод Чохральского В начале процесса роста монокристалла часть затравочного монокристалла расплавляется для устранения в нем участков с повышенной плотностью механических напряжений и дефектами. …
Pic.7
Метод Чохральского При больших массах расплава снижение стоимости становится незначительным за счет высокой стоимости кварцевого тигля и уменьшения скорости выращивания кристаллов из-за трудностей …
Pic.8
Легирование Для получения монокристаллов п- или р-типа с требуемым удельным сопротивлением проводят соответствующее легирование исходного поликристаллического кремния или расплава. В загружаемый …
Pic.9
Метод зонной плавки Метод используется при выращивании монокристаллов полупроводников и диэлектриков. Выращивание кристаллов кремния методом бестигельной зонной плавки (БЗП) осуществляют на основе …
Pic.10
Метод зонной плавки Скорость выращивания кристаллов методом БЗП вдвое больше, чем по методу Чохральского, благодаря более высоким градиентам температуры. А диаметр кристаллов кремния доведен до 150 …
Pic.11
Примеси в БЗП Основными фоновыми примесями в монокристаллах кремния являются кислород, углерод, азот, быстродиффундирующие примеси тяжелых металлов. Концентрация кислорода в кристаллах, получаемых …
Pic.12
Дальнейшая обработка Из установки извлекают кремниевый слиток диаметром 20 - 50 см и длиной до 3 метров. Для получения из него кремниевых пластин заданной ориентации и толщиной в несколько десятых …
Pic.13
Дальнейшая обработка В окончательном виде кремний представляет из себя пластину диаметром 15 - 40 см, толщиной 0. 5 - 0. 65 мм с одной зеркальной поверхностью. Вид пластин с различной ориентацией …
Pic.14
Сравнение
Pic.15
Дефекты Точечные дефекты (по Френкелю, по Шоттки, атомы примеси в положении замещения, атомы примеси в междоузльи) Линейные дефекты (краевая дислокация, винтовая дислокация) Поверхностные дефекты …
Pic.16
Применение 1. Для производства интегральных схем (Чохральский) 2. для изготовления приборов, не требующих высоких значений удельного сопротивления (до 25 Ом·см) из-за загрязнения кислородом и другими …
Если вам понравился сайт и размещенные на нем материалы, пожалуйста, не забывайте поделиться этой страничкой в социальных сетях и с друзьями! Спасибо!
