Презентация «Физика конденсированного состояния. Гетеропереходы»

Смотреть слайды в полном размере
Презентация «Физика конденсированного состояния. Гетеропереходы»

Вы можете ознакомиться с презентацией онлайн, просмотреть текст и слайды к ней, а также, в случае, если она вам подходит - скачать файл для редактирования или печати. Документ содержит 26 слайдов и доступен в формате ppt. Размер файла: 201.50 KB

Просмотреть и скачать

Pic.1
Физика конденсированного состояния Гетеропереходы
Физика конденсированного состояния Гетеропереходы
Pic.2
Основные понятия Гетеропереходом называют контакт двух полупроводников различного вида и разного тип
Основные понятия Гетеропереходом называют контакт двух полупроводников различного вида и разного типа проводимости, например, pGe ‒ nGaAs. Отличие гетеропереходов от обычного p-n‒перехода заключается …
Pic.3
Основные понятия С учетом сказанного количество материалов для гетеропереходов ограничено. Наиболее
Основные понятия С учетом сказанного количество материалов для гетеропереходов ограничено. Наиболее распространенными из них являются германий Ge, арсенид галлия GaAs, фосфид индия InP, …
Pic.4
Зонные диаграммы гетеропереходов при различных комбинациях Eg и χ в случае равенства термодинамическ
Зонные диаграммы гетеропереходов при различных комбинациях Eg и χ в случае равенства термодинамических работ выхода Ф1 = Ф2
Pic.5
«Физика конденсированного состояния. Гетеропереходы», слайд 5
Pic.6
Контакт германий pGe и арсенид галлия nGaAs Приведем в контакт германий pGe и арсенид галлия nGaAs.
Контакт германий pGe и арсенид галлия nGaAs Приведем в контакт германий pGe и арсенид галлия nGaAs. При построении зонной диаграммы гетероперехода учтем следующие факторы: 1. Уровень вакуума Е=0 …
Pic.7
Контакт германий pGe и арсенид галлия nGaAs С учетом этого в процессе построения зонной диаграммы ге
Контакт германий pGe и арсенид галлия nGaAs С учетом этого в процессе построения зонной диаграммы гетероперехода при сращивании дна зоны проводимости EC этих полупроводников на металлургической …
Pic.8
Контакт германий pGe и арсенид галлия nGaAs При сшивании вершины валентной зоны ЕV в области металлу
Контакт германий pGe и арсенид галлия nGaAs При сшивании вершины валентной зоны ЕV в области металлургического перехода получается разрыв ΔEV. Величина "разрыва" равна: Из приведенных …
Pic.9
Зонная диаграмма гетероперехода pGe - nGaAs в равновесных условиях
Зонная диаграмма гетероперехода pGe - nGaAs в равновесных условиях
Pic.10
Зонная диаграмма гетероперехода nGe - pGaAs в равновесных условиях
Зонная диаграмма гетероперехода nGe - pGaAs в равновесных условиях
Pic.11
Зонные диаграммы для различных типов гетеропереходов при условии, что термодинамическая работа выход
Зонные диаграммы для различных типов гетеропереходов при условии, что термодинамическая работа выхода Ф1 < Ф2
Pic.12
Распределение электрического поля и потенциала в области пространственного заряда для гетероперехода
Распределение электрического поля и потенциала в области пространственного заряда для гетероперехода
Pic.13
Ширина области пространственного заряда гетероперехода W
Ширина области пространственного заряда гетероперехода W
Pic.14
Распределение электрического поля и потенциала в области пространственного заряда гетероперехода nGe
Распределение электрического поля и потенциала в области пространственного заряда гетероперехода nGe - pGaAs
Pic.15
Распределение электрического поля Скачок электрического поля в гетеропереходе на металлургической гр
Распределение электрического поля Скачок электрического поля в гетеропереходе на металлургической границе обусловлен различными значениями диэлектрических постоянных ε1 и ε2.
Pic.16
Рассмотрим зонную диаграмму гетероперехода при приложении внешнего напряжения V. Как и в случае p-n‒
Рассмотрим зонную диаграмму гетероперехода при приложении внешнего напряжения V. Как и в случае p-n‒перехода, знак напряжения будет определяться знаком приложенного напряжения на p-область …
Pic.17
Зонные диаграммы гетероперехода nGe - pGaAs при положительном V > 0 и отрицательном V < 0
Зонные диаграммы гетероперехода nGe - pGaAs при положительном V > 0 и отрицательном V < 0
Pic.18
Вольт-амперные характеристики гетероперехода Расчет вольт-амперных характеристик гетероперехода пров
Вольт-амперные характеристики гетероперехода Расчет вольт-амперных характеристик гетероперехода проводится исходя из баланса токов термоэлектронной эмиссии. Используя тот же самый подход, для …
Pic.19
ВАХ при прямом смещении Поскольку арсенид галлия ‒ более широкозонный полупроводник, чем германий, т
ВАХ при прямом смещении Поскольку арсенид галлия ‒ более широкозонный полупроводник, чем германий, то собственная концентрация в арсениде галлия (ni2) будет много меньше, чем в германии (ni1), …
Pic.20
Потенциальная яма в гетеропереходах
Потенциальная яма в гетеропереходах
Pic.21
Потенциальная яма в гетеропереходах На зонной диаграмме гетеропереходов видно, что в области "п
Потенциальная яма в гетеропереходах На зонной диаграмме гетеропереходов видно, что в области "пичка" для электронов или дырок реализуется потенциальная яма. Расчеты электрического поля в …
Pic.22
Двумерный электронный газ Для описания такого состояния используют представление о двумерном электро
Двумерный электронный газ Для описания такого состояния используют представление о двумерном электронном газе. Для двумерного электронного газа меняется плотность квантовых состояний в разрешенных …
Pic.23
Двумерный электронный газ Самое важное состоит вот в чем: разрывы энергии уровней зоны проводимости
Двумерный электронный газ Самое важное состоит вот в чем: разрывы энергии уровней зоны проводимости и валентной зоны представляют собой квантовые потенциальные барьеры для электронов и, …
Pic.24
«Физика конденсированного состояния. Гетеропереходы», слайд 24
Pic.25
Квантовые ямы Формируемые квантовые ямы могут иметь отнюдь не только прямоугольную форму, плавным из
Квантовые ямы Формируемые квантовые ямы могут иметь отнюдь не только прямоугольную форму, плавным изменением состава (т. е. величины х в формуле вида GaxAl1-xAs) можно получить, например, яму …
Pic.26
Могут быть сформированы структуры с практически любой наперед заданной вольт-амперной характеристико
Могут быть сформированы структуры с практически любой наперед заданной вольт-амперной характеристикой и любыми, необходимыми на практике, электронными свойствами. Работы по созданию гетероструктур …


Скачать презентацию

Если вам понравился сайт и размещенные на нем материалы, пожалуйста, не забывайте поделиться этой страничкой в социальных сетях и с друзьями! Спасибо!