Презентация Диэлектрические потери и диэлектрическая спектроскопия

Смотреть слайды в полном размере
Презентация Диэлектрические потери и диэлектрическая спектроскопия


Вашему вниманию предлагается презентация «Диэлектрические потери и диэлектрическая спектроскопия», с которой можно предварительно ознакомиться, просмотреть текст и слайды к ней, а так же, в случае, если она вам подходит - скачать файл для редактирования или печати.

Презентация содержит 33 слайда и доступна для скачивания в формате ppt. Размер скачиваемого файла: 473.92 KB

Просмотреть и скачать

Pic.1
Диэлектрические потери и диэлектрическая спектроскопия
Диэлектрические потери и диэлектрическая спектроскопия
Pic.2
Диэлектрические потери, характеризующие превращение части Диэлектрические потери, характеризующие пр
Диэлектрические потери, характеризующие превращение части Диэлектрические потери, характеризующие превращение части электрической энергии в тепловую энергию, являются важным элек- трофизическим параметром диэлектрика. Величина этих потерь, а также зависимость их от частоты и температуры свидетельству- ют о тех или иных особенностях механизма поляризации. Диэлек- трические потери обычно в значительной степени изменяются при введении в диэлектрик различного рода примесей. В твердых диэ- лектриках в зависимости от концентрации примесей или структур- ных дефектов величина диэлектрических потерь может изменяться в десятки и сотни раз, в то время как изменение величины ε может быть сравнительно небольшим. Таким образом, диэлектрические по- тери являются чувствительным индикатором изменения структуры диэлектрика. Изучение диэлектрических потерь и их зависимости от дефектов структуры диэлектрика и различных факторов (темпе- ратуры, напряженности и частоты электрического поля и др. ) пред- ставляет значительный интерес для современной техники и физики диэлектриков.
Pic.3
Тангенс угла диэлектрических потерь Наиболее часто величина диэлектрических потерь характеризуется т
Тангенс угла диэлектрических потерь Наиболее часто величина диэлектрических потерь характеризуется тангенсом угла потерь tgδ. Используется также представление комплексной диэлектрической проницаемости, что является особенно удобным для описания зависимости диэлектрических потерь от частоты: ε*(ω) = ε′(ω) − ε″(ω), tgδ = ε″/ε′, где ε' = ε; ε″ − коэффициент потерь.
Pic.4
Диэлектрические потери и диэлектрическая спектроскопия, слайд 4
Pic.5
Природа поглощения электромагнитной энергии в диэлектрике Природа поглощения электромагнитной энерги
Природа поглощения электромагнитной энергии в диэлектрике Природа поглощения электромагнитной энергии в диэлектрике могут быть различными (рис. 5. 3). Наиболее простым механизмом потерь является рассеяние носителей заряда, участвующих в элек- тропроводности. Этот механизм в той или иной мере имеет место во всех диэлектриках – в газах, жидкостях и кристаллах. Рассеяние но- сителей заряда при соударениях с атомами и молекулами (в неупоря- доченных средах) и их рассеяние на колебаниях решетки и дефектах (в кристаллах) являются самым важным механизмом превращения электрической энергии в тепловую энергию в проводниках и полу- проводниках.
Pic.6
Диэлектрические потери и диэлектрическая спектроскопия, слайд 6
Pic.7
Специфическим механизмом потерь в диэлектриках являются по- ляризационные потери, так как поляризаци
Специфическим механизмом потерь в диэлектриках являются по- ляризационные потери, так как поляризация диэлектрика в пере- менном электрическом поле всегда сопровождается диссипацией электрической энергии, поскольку всякий нестационарный процесс в реальном веществе всегда в той или иной мере термодинамически необратим. При некоторых частотах, правда, поляризационные по- тери могут быть очень малы, но все же они не равны нулю. Механизмы диэлектрических потерь, возникающих в переменном электрическом поле, могут быть конкретизированы лишь при изуче- нии динамических свойств электрического отклика (поляризации и электропроводности). При этом необходимо учитывать кинетические свойства молекул и атомов диэлектрика.
Pic.8
Потери на электропроводность – рассеяние носителей заряда При направленном перемещении электрических
Потери на электропроводность – рассеяние носителей заряда При направленном перемещении электрических зарядов во внеш- нем электрическом поле (дрейфе или диффузии) носители заряда на пути свободного пробега приобретают от электрического поля энер- гию. Приобретенная энергия тратится при «соударениях» – взаимо- действиях с молекулами и атомами вещества, которые находятся в состоянии теплового движения. Отдавая энергию при соударении, носитель заряда повышает интенсивность хаотического движения частиц вещества, следовательно, повышает температуру диэлектри- ка. По этой причине электропроводность увеличивает коэффициент потерь ε", тангенс угла потерь tgδ и мощность рассеяния энергии р в единице объема диэлектрика.
Pic.9
В данном случае все перечисленные параметры зависят только В данном случае все перечисленные парамет
В данном случае все перечисленные параметры зависят только В данном случае все перечисленные параметры зависят только от плотности протекающего через диэлектрик активного тока. Со- ответствующие формулы приведены на рис. 5. 4. Из них следует, что Электропроводность сказывается на величине tgδ и на коэффициентепотерь ε", главным образом, при низких частотах: оба эти параметра убывают с частотой как 1/ω. Удельная мощность потерь в этом случае от частоты не зависит, так как сводится к удельной мощности потерь при постоянном напряжении (р = аЕ2). Таким образом, снижение с частотой ε" и tgδ не означает уменьшения тепловыделения в диэлектрике с частотой, так как параметр р прямо пропорционален частоте ω.
Pic.10
Частотные характеристики рассмотренных параметров приведе- ны на рис. 5. 4, а. Диэлектрическая прони
Частотные характеристики рассмотренных параметров приведе- ны на рис. 5. 4, а. Диэлектрическая проницаемость, определяемая (в том случае, когда нет других механизмов поглощения, кроме элек- тропроводности) только быстрыми процессами поляризации: ε = ε(∞) и не зависит от частоты. Как tgδ, так и ε" с ростом частоты снижаются, однако величина удельной мощности потерь р остается постоянной с изменением частоты. Температурные зависимости этих параметров в случае, когда преобладает электропроводность, приводятся на рис. 5. 4, б. Все они экспоненциально возрастают с температурой, поскольку по этому закону изменяется с температурой проводимость (см. § 2. 1). Видно, что электропроводность дает значительный вклад в tgδ и ε" при высоких температурах и при низких частотах. При низких температурах и весьма высоких частотах вкладом электропроводности в диэлектри- ческие потери можно пренебречь.
Pic.11
Диэлектрические потери при тепловой поляризации Тепловая поляризация по сути дела сводится к электро
Диэлектрические потери при тепловой поляризации Тепловая поляризация по сути дела сводится к электродиффузии, при которой заряды (или диполи) накапливаются в локализованных состояниях (переориентируются). Обусловленная тепловым движе- нием поляризация устанавливается сравнительно медленно (глава 3). Время релаксации тепловой поляризации зависит от температуры и в нормальных условиях (при 300 К) обычно находится в пределах 10−3 ÷ 10−10с. Таким образом, частота молекулярных релаксационных процессов диэлектриков может находиться именно в диапазоне ча- стот, где диэлектрики используются в электротехнике и электронике (50 Гц ÷ 100 ГГ ц).
Pic.12
Поэтому именно тепловая поляризация приводит к нежелатель- Поэтому именно тепловая поляризация приво
Поэтому именно тепловая поляризация приводит к нежелатель- Поэтому именно тепловая поляризация приводит к нежелатель- ным диэлектрическим потерям в большинстве случаев технического использования диэлектриков. Упругая (деформационная) поляризация – слишком быстрый процесс, чтобы оказывать влияние на потери в диапазоне частот 50 Гц ÷ 100 ГГ ц. С другой стороны, миграционная (объемно-зарядная) поляризация, описанная в главе 3, представляет собой более медленный механизм и приводит к нестабильности ε(ω,Τ) и потерям на инфранизких частотах (10−3 Гц ÷ 102 Гц). Диэлектрический вклад как релаксационной, так и миграционной поляризации зависит от частоты и описывается уравнением Дебая: где ε(0) и ε(∞) − величины диэлектрической проницаемости соответ- ственно при более низкой и более высокой частоте по сравнению с ча- стотой дисперсии ω = ωрел = 1/τ, τ − время релаксации. На рис. 5. 5 приведены основные параметры, характеризующие релаксационные потери.
Pic.13
Из формулы для удельной мощности диэлектрических потерь р при релаксационной поляризации следует, чт
Из формулы для удельной мощности диэлектрических потерь р при релаксационной поляризации следует, что при низких частотах, когда релаксационная поляризация успевает установиться во времени, диэлектрические потери практически не проявляются. При частоте дисперсии ω = 1/τ , p = 0,5gE2, где параметр g = αтτε0, − реактивная проводимость. При высоких частотах, когда ωτ >> 1, по- тери достигают максимального значения, равного gE2, и далее от ча- стоты не зависят. Таким образом, хотя релаксационная поляризация запаздывает и уже не дает диэлектрического вклада, удельная мощность потерь от релаксационных процессов остается максимальной. Поэтому, например, при разработке высокочастот- ных и СВЧ диэлектриков примеси и дефекты структуры, дающие низкочастотную релаксацию, крайне нежелательны, поскольку они, не влияя заметным образом на величину ε, существенно повышают потери.
Pic.14
Диэлектрические потери при упругой поляризации Когда электрическое поле упруго смещает электроны в а
Диэлектрические потери при упругой поляризации Когда электрическое поле упруго смещает электроны в атоме, ионы в кристалле или жестко связанные диполи, возникает возвра- щающая сила, пропорциональная смещению частиц из равновесного положения. Отклонившиеся от равновесия частицы могут совершать колебания вокруг нового равновесного состояния. Поэтому динами- ческие свойства упругой поляризации описываются уравнением гар- монического осциллятора, где диэлектрические потери учитываются введением коэффициента затухания.
Pic.15
Диэлектрические потери и диэлектрическая спектроскопия, слайд 15
Pic.16
В величину tgδ дают вклад различные процессы рассеяния; учет этих вкладов важен при исследовании и р
В величину tgδ дают вклад различные процессы рассеяния; учет этих вкладов важен при исследовании и разработке СВ Ч- диэлектриков с низкими потерями. Электрическое поле высокой ча- стоты действует на расположенные по соседству ионы (положитель- ные и отрицательные). Эти ионы смещаются в противоположных направлениях, и таким образом происходит возбуждение попереч- ных оптических (поляризационных) колебаний. Рассеяние энергии этих колебаний стимулируется различными механизмами. Прежде всего, к потерям приводят любые дефекты кристаллической струк- туры (дислокации, ионные вакансии, избыточные в кристалле ионы, границы зерен-кристаллитов).
Pic.17
Перечисленные дефекты и другие малоподвижные («статические») деформации решетки приводят к так назыв
Перечисленные дефекты и другие малоподвижные («статические») деформации решетки приводят к так называемому двухфононному взаимодействию − рассеянию опти- ческих фононов на статических полях деформаций. Это − основной механизм СВ Ч-потерь в реальных ионных кристаллах, содержащих структурные дефекты. Однако это далеко не единственный механизм высокочастотных потерь: диэлектрическое поглощение возможно и в идеальных кристаллах за счет разных фонон-фононных взаимодей- ствий. Эти взаимодействия обусловлены ангармонизмом колебаний кристаллической решетки. В зависимости от конкретной структуры кристалла, от его симметрии и температуры могут преобладать трех- фононные или четырехфононные процессы.
Pic.18
Сверхвысокочастотные (СВЧ ) диэлектрики Во многих случаях необходимы «радиопрозрачные» материалы с о
Сверхвысокочастотные (СВЧ ) диэлектрики Во многих случаях необходимы «радиопрозрачные» материалы с очень низкими потерями и, как правило, с низкой диэлектрической проницаемостью. Таковы, например, СВ Ч композиты типа «керами- ка – воздух» (пенокерамика), которые в зависимости от плотности имеют величину ε = 1, 2 – 3, а также композиты «полимер – воздух» (СВ Ч пенопласт) с диэлектрической проницаемостью ε = 1, 05 – 1, 3. В ряде случаев (в военной и космической технике) радиопрозрач- ные СВ Ч материалы должны обладать повышенной диэлектрической проницаемостью (ε = 5 – 10) при низких диэлектрических потерях, высокой механической прочности и термостойкости более 10000 С .
Pic.19
Поскольку электромагнитные волны могут распространяться только в диэлектриках, применению диэлектрич
Поскольку электромагнитные волны могут распространяться только в диэлектриках, применению диэлектрических материалов с самого начала развития техники СВ Ч уделялось большое внимание. Как правило, в преобразующих системах СВ Ч для распространения сигналов используются металлические волноводы, заполненные диэлектриками. Собственно диэлектрические волноводы, в которых электромагнитное поле сосредоточено преимущественно внутри диэ- лектрика, нашли ограниченное применение из-за излучения части энергии. Диэлектрические волноводы находят применение в милли- метровом и субмиллиметровом диапазоне длин волн, где металличе- ские волноводы имеют значительные потери.
Pic.20
Для современной микроэлектроники СВ Ч особенное значение представляют материалы с высокой диэлектрич
Для современной микроэлектроники СВ Ч особенное значение представляют материалы с высокой диэлектрической проницаемо- стью, как правило, также термостабильные и имеющие малое погло- щение на сверхвысоких частотах. В других случаях первостепенную важность имеет возможность электрического управления величиной ε при небольших диэлектрических потерях, и т. д. Современные и перспективные области применения СВ Ч диэлектриков, обладающих высокой ε, перечислены в табл. 10. 1. Такие материалы используются в качестве миниатюрных конденсаторов и подложек СВ Ч микросхем, снижая их планарные габариты в ε раз. Наиболее распространенным в настоящее время является применение СВ Ч диэлектриков в каче- стве объемных диэлектрических резонаторов (ДР ), где требования ε > 20 и tgδ < 0, 001 являются принципиальными.
Pic.21
Линейные термостабильные диэлектрики – основной класс при- меняемых в настоящее время СВ Ч диэлектри
Линейные термостабильные диэлектрики – основной класс при- меняемых в настоящее время СВ Ч диэлектриков с большой величи- ной ε. Они используются, главным образом, в качестве подложек СВ Ч микросхем и в качестве диэлектрических резонаторов (ДР ). Оптими- зация выбора таких СВ Ч диэлектриков по величине ε определяется частотным диапазоном их использования. Так, если на метровых и дециметровых волнах необходимы материалы с величиной ε = 300 – 100, то в диапазоне сантиметровых и миллиметровых волн необходи- мы диэлектрики с ε = 40 – 20.
Pic.22
Диэлектрические потери и диэлектрическая спектроскопия, слайд 22
Pic.23
Поскольку внешняя термостабилизация для СВ Ч устройств обыч- но нежелательна, то параметры применяем
Поскольку внешняя термостабилизация для СВ Ч устройств обыч- но нежелательна, то параметры применяемого диэлектрика не долж- ны изменяться с температурой: они должны обладать малым темпе- ратурным коэффициентом диэлектрической проницаемости: ТКε = = ε-1dε/dT < l0-5 K-1. Такие СВ Ч диэлектриков обсуждаются в разделе 10. 2, где они сравниваются не только по величине ε, но и по величине диэлектрических потерь. Нелинейные СВЧ диэлектрики (с управляемой диэлектрической проницаемостью) интенсивно исследуются во многих лаборатори- ях мира и только начинают находить применение в технике. В этом случае обеспечить термостабильность ε и малые потери практически невозможно. Нелинейные СВ Ч диэлектрики и их применение обсуж- даются в разделе 10. 3.
Pic.24
Поглощающие материалы («абсорберы») также являются объ- ектом современных исследований. Для них необ
Поглощающие материалы («абсорберы») также являются объ- ектом современных исследований. Для них необходимой характери- стикой является именно большие диэлектрические потери, способ- ные уже в тонких слоях (или в порошках) обеспечить практически полное затухание сигналов СВ Ч.
Pic.25
Требование СВ Ч техники сочетать в одном и том же диэлектри- ческом материале большую диэлектрическу
Требование СВ Ч техники сочетать в одном и том же диэлектри- ческом материале большую диэлектрическую проницаемость с тер- мостабильностью (ТКε → 0) при непременном условии малых СВ Ч потерь, на первый взгляд, является физически противоречивым. В самом деле, высокая величина ε без существенного поглощения диэ- лектриком электрической энергии на частотах 1−100 ГГ ц в кристал- лах и поликристаллах может быть реализована только за счет мало- инерционных механизмов поляризации, а они (за редким исключе- нием) не могут обеспечить большую и независимую от температуры величину ε.
Pic.26
Как было показано выше в главе 3, такими механизмами поля- Как было показано выше в главе 3, такими
Как было показано выше в главе 3, такими механизмами поля- Как было показано выше в главе 3, такими механизмами поля- ризации могут быть только оптическая (электронная) и инфракрас- ная (фононная) поляризация. Другие механизмы поляризации или не дают существенного вклада в диэлектрическую проницаемость в СВ Ч диапазоне (εСВ Ч), или же приводят к дисперсии ε, которая явля- ется причиной значительных диэлектрических потерь (рис. 10. 1). Поэтому обычный метод технологического управления электриче- скими свойствами твердых веществ − введение примесей, регулиров- ка концентрации дефектов − применительно к СВ Ч диэлектрикам не- пригоден, так как приводит к повышению СВ Ч потерь.
Pic.27
На рис. 10. 2 сравниваются «диэлектрические вклады» различ- На рис. 10. 2 сравниваются «диэлектричес
На рис. 10. 2 сравниваются «диэлектрические вклады» различ- На рис. 10. 2 сравниваются «диэлектрические вклады» различ- ных механизмов поляризации. Оптическая поляризация обуслов- лена упругим смещением орбит электронов (она называется также «электронной поляризацией», глава 3). Являясь малоинерционным, этот механизм поляризации может обеспечить как очень низкие СВ Ч потери, так и повышенную термостабильность (рис. 10. 2, кривая 1). Однако «диэлектрический вклад» от оптической поляризации срав- нительно мал (обычно εопт < 6). К применяемым в технике СВ Ч диэ- лектрикам с исключительно оптической (электронной) поляризаци- ей относится тефлон (ε = 2) и полистирол (ε = 2, 5). Кристаллы крем- ния, которые используются в настоящее время в качестве подложек в микроэлектронике СВ Ч, также обладают только электронной по- ляризацией (ε = 11, 5).
Pic.28
Фононный (инфракрасный) механизм поляризации возможен только в ионных кристаллах. К ним относят, нап
Фононный (инфракрасный) механизм поляризации возможен только в ионных кристаллах. К ним относят, например, щелочно- галоидные кристаллы, ЩГК , глава 3. Ионная поляризация имеет ме- сто в больших классах оксидов металлов и халькогенидах. Полупро- водники классов А3В5 и А2В6 также являются «частично ионными» кристаллами. Так же как электронная поляризация, ионная поляризация обусловливает весьма низкие СВ Ч потери при приемлемой термоста- бильности (кривая 2 на рис. 10. 1). При этом электронный вклад εопт (с малым и отрицательным ТКε) частично компенсируется прибли- зительно ионным диэлектрическим вкладом εИК (с небольшим но по- ложительным ТКε). Однако в большинстве ионных кристаллов диэ- лектрическая проницаемость оказывается недостаточно большой: εСВЧ = εопт + εИК = 6 − 12, так что среди простых ионных кристаллов (типа ЩГК ) трудно указать вещества, перспективные для примене- ния в СВ Ч микроэлектронике.
Pic.29
Это же относится и к простым оксидам, и к халькогенидам: в них значения εСВ Ч редко выходят за преде
Это же относится и к простым оксидам, и к халькогенидам: в них значения εСВ Ч редко выходят за пределы 5 − 15. Отметим однако, что в некоторых оксидах, например в Аl2O3, термостабильность εСВ Ч очень высока (ТК ε < 10−6 К−1), хотя при этом и ε ~ 12. Но из-за малых потерь,высокой теплопроводности и термостабильности как поликристаллический Аl2O3 (поликор) и так и монокристаллический Аl2O3 (сапфир) широко применяются в СВ Ч технике, но не в классе диэлектриков в высокой ε.
Pic.30
Наиболее высокая величина εСВ Ч имеет место в сегнетоэлектриках, параэлектриках и антисегнетоэлектри
Наиболее высокая величина εСВ Ч имеет место в сегнетоэлектриках, параэлектриках и антисегнетоэлектриках типа смещения. В приведенных примерах параэлектриками являются TiO2 и CaTiO3, антисегнетоэлектриком – PbZrO3, а к сегнетоэлектрикам относится PbTiO3. Как правило, ниже точки Кюри в полидоменных кристаллах сегнетоэлектриков, и, тем более, в поли- кристаллах (керамике) наблюдается сильная дисперсия ε, обуслов- ленная полидоменной структурой.
Pic.31
СВ Ч дисперсия ε в титанате бария СВ Ч дисперсия ε в титанате бария показана на рис. 10. 1. Диэлектр
СВ Ч дисперсия ε в титанате бария СВ Ч дисперсия ε в титанате бария показана на рис. 10. 1. Диэлектрическая проницаемость на СВ Ч сни- жается более чем в два раза, причем на частоте около 3 ГГ ц в BaTiO3 наблюдается большой максимум СВ Ч потерь (ε″ ~ 400). В сегнетоэлек- трическом твердом растворе Ba(Ti, Sn)O3 максимум СВ Ч поглощения достигает уже ε″ ~ 1000 (рис. 10. 1). Даже тонкий слой такой керами- ки (толщиной 100 мкм) приводит к затуханию СВ Ч сигнала в 90 Дб (практически полное поглощение). Поэтому, ввиду больших диэлек- трических потерь, использовать керамические сегнетоэлектрики в СВ Ч технике можно только в качестве «абсорберов».
Pic.32
Тем не менее, в монодоменных кристаллах «жестких» сегнетоэ- Тем не менее, в монодоменных кристаллах
Тем не менее, в монодоменных кристаллах «жестких» сегнетоэ- Тем не менее, в монодоменных кристаллах «жестких» сегнетоэ- лектриков типа смещения (сегнетоэлектриков высокой точкой Кюри) дисперсия ε на СВ Ч отсутствует, и СВ Ч потери в них относительно невелики. Например, в кристаллах LiNbO3 и LiТаО3 (табл. 10. 4) на частоте 10 ГГ ц величина потерь tgδ < 10-3 при диэлектрической про- ницаемости εСВ Ч = 40 − 50 (при этом, однако, монокристаллы имеют высокую стоимость и недостаточно термостабильны, рис. 10. 2, кри- вая 3).
Pic.33
В табл. 10. 4 перечислены свойства сегнетоэлектрических мате- риалов (выше точки Кюри они параэлектр
В табл. 10. 4 перечислены свойства сегнетоэлектрических мате- риалов (выше точки Кюри они параэлектрики). Некоторые антисег- нетоэлектрики типа смещения (например, NaNbO3) имеют высокую диэлектрическую проницаемость (εСВ Ч = 100 − 150) и невысокие диэ- лектрические потери, потому что в них и ниже, и выше точки Кюри СВ Ч дисперсия ε отсутствует. Следует отметить, что во всех перечис- ленных в табл. 10. 4 сегнетоэлектрических кристаллах ТК ε > 0, что обусловлено, как и в монодоменных сегнетоэлектриках, повышени- ем частоты наиболее низкочастотной фононной моды по мере охлаж- дения кристалла. Однако какое-либо «технологическое управление» величиной ТКε в этих материалах не представляется возможным.


Скачать презентацию

Если вам понравился сайт и размещенные на нем материалы, пожалуйста, не забывайте поделиться этой страничкой в социальных сетях и с друзьями! Спасибо!